TRANSISTOR MJ1001 TO 3

Transistor Darlington NPN MJ1001 — encapsulado TO-3

Transistor de potencia Darlington NPN de silicio, de construcción monolítica con resistencias shunt base-emisor integradas, montado en encapsulado metálico JEDEC TO-3 (TO-204AA). Está previsto para uso como dispositivo de salida en amplificadores de propósito general y en aplicaciones lineales y de conmutación de potencia.

Valores máximos absolutos

• Tensión colector-emisor (VCEO): 80 Vdc
• Tensión colector-base (VCB): 80 Vdc
• Tensión emisor-base (VEB): 5,0 Vdc
• Corriente de colector (IC): 10 Adc
• Corriente de base (IB): 0,1 Adc
• Disipación total a TC = 25 °C (PD): 90 W, con reducción (derating) de 0,515 W por cada °C sobre 25 °C
• Temperatura de juntura y de almacenamiento (TJ, Tstg): -55 a +200 °C
• Resistencia térmica juntura-cápsula (RθJC): 1,94 °C/W

Características eléctricas (TC = 25 °C)

• Tensión de ruptura colector-emisor V(BR)CEO: 80 Vdc mínimo (IC = 100 mA, IB = 0)
• Ganancia de corriente continua (hFE): 6000 típico a IC = 3,0 A; mínimo 1000 (IC = 3,0 A, VCE = 3,0 V) y mínimo 750 (IC = 4,0 A, VCE = 3,0 V)
• Tensión de saturación colector-emisor VCE(sat): 2,0 V máximo (IC = 3,0 A, IB = 12 mA); 4,0 V máximo (IC = 8,0 A, IB = 40 mA)
• Tensión base-emisor VBE(on): 2,5 V máximo (IC = 3,0 A, VCE = 3,0 V)
• Corriente de fuga colector-emisor (ICEO): 500 µA máximo (VCE = 40 V, IB = 0)
• Corriente de corte de emisor (IEBO): 2,0 mA máximo (VBE = 5,0 V, IC = 0)
• Corriente de fuga colector-emisor (ICER): 1,0 mA máximo (VCB = 80 V, RBE = 1,0 kΩ); 5,0 mA máximo a TC = 150 °C

Construcción y encapsulado

• Tipo: Darlington monolítico NPN de silicio
• Resistencias shunt base-emisor integradas: 4,0 kΩ y 60 Ω
• Encapsulado: metálico TO-3 (JEDEC TO-204AA); el colector está conectado a la cápsula

Aplicaciones

• Etapas de salida en amplificadores de propósito general
• Aplicaciones lineales de potencia
• Aplicaciones de conmutación de potencia

Datos según la hoja de datos oficial del fabricante.